Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Ключевые слова | Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
- Цена: 12 ₴