Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.
Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод.
- Модель: FGA25N120
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Управляющее напряжение: 5.5 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
- Прямой ток диода: 25 А
- Тип корпуса: TO-3P
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Ключевые слова | Чип FGA25N120,25N120,TO-3P,Транзистор IGBT,транзистор 1200В 25А +диод |
- Цена: 55 ₴