Чіп 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 30F131 в корпусі ТО-263-2 для використання в плазмових панелях.
- Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
- Напруга насичення при номінальному струмі: 1.9 В
- Потужність: 140 Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Ключові слова | Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
- Ціна: 12 ₴